تحقیق در مورد ترانزيستور اثر ميداني 90 ص - دانلود رایگان
دانلود رایگان
دانلود رایگان لینک دانلود و خرید پایین توضیحاتدسته بندی : ووردنوع فایل : word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت )تعداد صفحه : 90 صفحه قسمتی از متن word (..doc) : 11فصل اولمشخصات JFET1ـ1 مقدمهترانزيستور اثر ميداني (يا به اختصار FET) قطعه‌اي سه پايانه است كه در موارد بسياري بكار مي‌رود و در مقياس وسيعي با ترانزيستور BJT رقابت مي‌كند. اگرچه اختلافات مهمي بين اين دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسياري نيز بين آنها وجود دارد كه در بخشهاي بعد به آن اشاره خواهد شد. اختلاف نخست بين او دو نوع ترانزيستور در آن است كه ترانزيستور BJT همانگونه كه در شكل (الف 1ـ1) نشان داده شد يك قطعه كنترل جريان است، در حاليكه ترانزيستور JFET همانگونه كه در شكل (ب 1ـ1) ديده مي‌شود يك قطعه كنترل ولتاژ است. به بيان ديگر، جريان IC در شكل (الف 1ـ1) تابع مستقيم مقدار IB است. در FET جريان I تابعي از ولتاژ VGS است كه مطابق شكل (ب 1ـ1) به ورودي مدار اعمال مي‌شود. در هر حالت جريان مدار خروجي با يك پارامتر ورودي كنترل مي‌شود. در يك حالت بوسيله جريان و در ديگري بوسيله ولتاژ اعمال شده.